Visual - Werk 3 Fertigungsneubau

Die Philosophie

Die MOS Electronic

Historie

Umwelt

Referenzen

Anfahrt


Historie

1977 Gegründet als Lohngalvanik
1984 Neuaufbau als Leiterplattenfertigung
1993 Umzug in neue Fertigung (Werk 2)
1995 Einführung CAM
1996 Beginn Multilayerproduktion
1999 Erweiterung der Produktionsfläche (Werk 3)
2000 Mechanische Microvias
2002 Lasermicrovias, SBU, HDI
2003 Flex- und Starrflexproduktion
2004 Weiterentwicklung Multilayer-HDI Prozess
2005 Ausbau der HF-Produktion
2006 Aufbau MOS-Verbund (China)
2007 Einführung Envision Prozess
2008 Einführung LDI
2009 Aufbau 2-mil-Technologie (50µm line / space)
2010 Ausbau Dickkupfertechnologie
2012 Erweiterung Fertigung Flex-/Starflex-LP
2013 Einzug in Fertigungsanbau: 2.500 m2 (Werk 1)
2015 Neue Reinraumtechnologie für Fotodruck
2016 Vollautomatisierung des Fotodrucks
2017 Vollautomatisierung des Lötstopplackprozesses
          und Umstellung auf LDI
2017 Erhöhung der Bohrkapazitäten
2018 Neugestaltung Lager Fertigware und Basismaterial
2019 Erneuerung Labor und Wasserrecycling
2020 Einführung einer neuen ERP-Software
2020 Erneuerung LBA-Prozess (Galvanik)
Werk 1
Werk 2

Werk 2
Werk 3

Werk 1
Werk 1


Erstes Produktionsgebäude
Erstes Produktionsgebäude



© 1984 - 2020 by MOS Electronic GmbH