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MOS Electronic GmbH
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Roadmap

Eigenschaften/Jahr 2008 (Produktion) 2008 (Vorserien/ Muster) 2009/2010
Material: FR4, FR4 Hoch-Tg, FR2, CEM 1, CEM 3, halogenfrei, HF-Material, BT-Material Bergquist, Teflon, Flex FR4, FR4 Hoch-Tg, FR2, CEM 1, CEM 3, halogenfrei, HF-Material, BT-Material Bergquist, Teflon, Flex FR4, FR4 Hoch-Tg, FR2, CEM 1, CEM 3, halogenfrei, HF-Material, BT-Material Bergquist, Teflon, Flex
Strukturen Breite/Abstand (Innenlagen ML/HDI): 3,0mil / 3,0mil (75 µm / 75 µm) bei 18 µm Cu 2,5mil / 2,5mil (60 µm / 60 µm) bei 12 µm Cu 2,0mil / 2,0mil (50 µm / 50 µm) bei 9 µm Cu
Strukturen Breite/Abstand (Außenlage): 3,0mil / 3,0mil 2,5mil / 3,0mil 2,0mil / 2,5mil
min. Innenlagen Dicke: 75 µm 50 µm 50 µm
max. Kupfer-Dicke Innenlage: 210 µm 210 µm 210 µm
max. Kupfer-Dicke Außenlage: bis 400 µm bis 400 µm bis 400 µm
max. Lagenzahl/ Dicke: 26-Lagen / 8,00 mm 28-Lagen / 8,00 mm >32-Lagen / 8,00 mm
min. Bohrdurchmesser Durchgangsbohrungen: 0,20 mm 0,20 mm 0,20 mm
min. Bohrdurchmesser Durchgangsbohrungen: 0,20 mm 0,20 mm 0,20 mm
min. Laser Micro-Via Loch: 130 µm 120 µm 100 µm
Aspect Ratio Durchgangsbohrungen: 10:01 12:01 14:01
Aspect Ratio Laser Micro-Via Loch: 1 : 0,5 1 : 0,6 1 : 0,75
Sequential Build-Up Layers: 3 + Kern / BV + 3 4 + Kern / BV + 4 4 + Kern / BV + 4
min. BGA Pitch: 0,8 mm 0,6 mm 0,5 mm
Lötstoplack Registration: 2mil (50 µm) 2mil (50 µm) 2mil (50 µm)
Lötstoplack Stegbreite: 100 µm (4mil) 85 µm (3,5mil) 75 µm (3,0mil)
Impedanze Toleranzen: 10 % 10 % 10 %
Endoberflächen: HASL, chem. Ni / Au, Bondgold galv. Ni / Au, chem. Sn, Entek, chem. Ag, Bleifrei HAL, galv. Ni HASL, chem. Ni / Au, Bondgold galv. Ni / Au, chem. Sn, Entek, chem. Ag, Bleifrei HAL, galv. Ni HASL, chem. Ni / Au, Bondgold galv. Ni / Au, chem. Sn, Entek, chem. Ag, Bleifrei HAL, galv. Ni